Jinko Tiger Neo tipo N 66HL4M-BDV 625-650 vatios
| Modelo | JKM625-650N-66HL4M-BDV |
| Dimensiones | 2382×1134×30 mm |
| Peso | 32,4 kg |
| Garantía | 30 años |
| Plazo de entrega | 10-15 días después del pago |
| Embalaje | 36 piezas/palet, 720 piezas/contenedor de 40 pies |
Jinko Tiger Neo tipo N 66HL4M-BDV 625-650 vatios
| Modelo | JKM625-650N-66HL4M-BDV |
| Dimensiones | 2382×1134×30 mm |
| Peso | 32,4 kg |
| Garantía | 30 años |
| Plazo de entrega | 10-15 días después del pago |
| Embalaje | 36 piezas/palet, 720 piezas/contenedor de 40 pies |
El Jinko Tiger Neo N-type 66HL4M-BDV de 625-650 vatios es un Módulo fotovoltaico bifacial de vidrio-vidrio de alto rendimiento, diseñado para sistemas comerciales y de servicios públicos a gran escala.. Utilizando celdas TOPCon de tipo N y El proceso HOT 3.0 de Jinko, El módulo minimiza las pérdidas LID/LeTID y mejora el rendimiento en condiciones de baja luminosidad y alta temperatura para lograr un rendimiento energético consistentemente alto.
La de 132 celdas (66×2) construcción vidrio-vidrio y Diseño de celda SMBB Optimiza la captación de luz y la recolección de corriente, mientras que el diseño bifacial captura irradiancia adicional en la parte posterior para aumentar la producción total de energía y reducir el LCOE.
Los módulos de tipo N con tecnología de contactos pasivantes de óxido de túnel (TOPCon) ofrecen una menor degradación LID/LeTID y un mejor rendimiento en condiciones de poca luz.
Los módulos de tipo N con la tecnología HOT 3.0 de JinkoSolar ofrecen mayor fiabilidad y eficiencia.
La ganancia en la generación de energía por ambos lados aumenta con la exposición de la parte posterior a la luz, lo que reduce significativamente el LCOE.
Certificado para resistir:
Carga de prueba estática máxima en el lado frontal de 5400 Pa
Carga de prueba estática máxima en la parte trasera de 2400 Pa
Mejor captación de luz y recolección de corriente para mejorar la potencia y confiabilidad del módulo de salida.
Minimiza la posibilidad de degradación causada por fenómenos PID mediante la optimización de la tecnología de producción celular y el control de materiales.
| Potencia máxima-Pmax [Wp] | 625 | 630 | 635 | 640 | 645 | 650 |
| Voltaje de potencia máxima-Vmp [V | 40.88 | 41.02 | 41.16 | 41.30 | 41.44 | 41.58 |
| Corriente de potencia máxima-Imp [A] | 15.29 | 15.36 | 15.43 | 15.50 | 15.57 | 15.64 |
| Tensión en circuito abierto - Voc [V] | 49.28 | 49.48 | 49.68 | 49.88 | 50.08 | 50.28 |
| Corriente de cortocircuito-Isc [A] | 16.14 | 16.20 | 16.26 | 16.32 | 16.38 | 16.44 |
| Eficiencia del módulo STC [%] | 23.14 | 23.32 | 23.51 | 23.69 | 23.88 | 24.06 |
| Clasificación de potencia | 0~+3% | |||||
| Coeficiente de temperatura de Pmax | -0,29%/℃ | |||||
| Coeficiente de temperatura de Voc | -0,25%/℃ | |||||
| Coeficiente de temperatura de Isc | 0,045%/℃ | |||||

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